硅單晶拉制設(shè)備的溫度控制技術(shù)分析

發(fā)布日期：2023-09-17      瀏覽次數(shù)：768

硅單晶拉制設(shè)備的溫度控制技術(shù)分析

在坩堝中熔化多晶硅時(shí)的溫度控制以及晶種后旋轉(zhuǎn)和提拉時(shí)的溫度控制。
從提升裝置的視口進(jìn)行溫度測(cè)量。



單晶硅提拉過(guò)程中的溫度控制。

目的

如果多晶硅在坩堝中熔化或提拉的溫度不穩(wěn)定，則難以生產(chǎn)高純度的單晶，質(zhì)量也不穩(wěn)定。
溫度是單晶化的重要因素，能夠非接觸式測(cè)量的輻射溫度計(jì)極其重要。

客戶(hù)的要求

我們希望通過(guò)準(zhǔn)確捕獲熔化溫度來(lái)捕獲結(jié)晶開(kāi)始的點(diǎn)。
雖然測(cè)量距離往往比較長(zhǎng)，但目標(biāo)尺寸必須相對(duì)較小。換句話(huà)說(shuō)，長(zhǎng)距離需要小光斑類(lèi)型。
由于環(huán)境溫度很高，因此耐熱溫度越高越好。

選型要點(diǎn)

對(duì)于硅的溫度測(cè)量，最好在1.1μm或更小的波長(zhǎng)下測(cè)量溫度，該波長(zhǎng)因溫度而導(dǎo)致的發(fā)射率變化很小。
FTKX系列和FLHX系列適合長(zhǎng)距離和小光斑類(lèi)型（φ0.15~）。光纖頭結(jié)構(gòu)緊湊，耐熱溫度為150℃，即使在環(huán)境溫度稍高的情況下也能安裝。
由于頭部是分離型，因此不需要輻射熱對(duì)策。

選定型號(hào)

• NEW! 1ms光纖型
  半定制型，可在惡劣環(huán)境和狹窄空間使用。

  

  光纖式輻射溫度計(jì)FTKX系列

  測(cè)量溫度范圍：100℃～2000℃

• 纖維類(lèi)型（耐熱/耐磁場(chǎng)）

• 高溫

• 對(duì)于石英以上

• 0.1ms/1ms快速響應(yīng)

• 用于金屬

• NEW! 1ms輻射溫度計(jì)，其規(guī)格可根據(jù)測(cè)量對(duì)象而改變

  

  無(wú)纖維輻射溫度計(jì)FLHX系列

  測(cè)量溫度范圍：90℃～2000℃

• 高溫

• 對(duì)于石英以上

• 0.1ms/1ms快速響應(yīng)

• 用于金屬